Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 454 A, 60 V, 8-Pin HSOF-8 IPT008N06NM5LFATMA1
- RS 제품 번호:
- 236-1584
- 제조사 부품 번호:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 2000 units)*
₩10,994,240.00
일시적 품절
- 2026년 5월 18일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2000 - 8000 | ₩5,497.12 | ₩10,993,488.00 |
| 10000 + | ₩5,386.20 | ₩10,773,904.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 236-1584
- 제조사 부품 번호:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 454A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.8mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 185nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.1mm | |
| Width | 10.58 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 454A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 185nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.1mm | ||
Width 10.58 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 60 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .
Ideal for hot-swap and e-fuse applications
Very low on-resistance RDS(on)
Wide safe operating area SOA
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating, halogen-free
관련된 링크들
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 454 A, 60 V, 8-Pin HSOF-8 IPT008N06NM5LFATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 333 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IPT013N08NM5LFATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 313 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 247 A, 80 V HSOF IPT019N08N5ATMA1
- Infineon IPT010N08NM5 Type N-Channel MOSFET, 43 A, 80 V, 8-Pin HSOF IPT010N08NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 87 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT129N20NM6ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 331 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT014N08NM5ATMA1
- Infineon IPT010N08NM5 Type N-Channel MOSFET, 43 A, 80 V, 8-Pin HSOF