제조사부품번호

Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5374
제조사 부품 번호:: FP100R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V

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수량	한팩당	Per Tray*
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20 - 20	₩174,855.04	₩1,748,550.40
30 +	₩169,609.84	₩1,696,098.40

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RS 제품 번호:: 244-5374
제조사 부품 번호:: FP100R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	100 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Maximum Power Dissipation	515 W
	Number of Transistors	7

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 100 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Maximum Power Dissipation 515 W
	Number of Transistors 7

Datasheet - FP100R12KT4B11BOSA1

COO (Country of Origin):: HU

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and servo drives etc.

Electrical features
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing

Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V

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