제조사부품번호

Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5846
제조사 부품 번호:: FP75R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

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20 - 20	₩140,469.84	₩1,404,698.40
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RS 제품 번호:: 244-5846
제조사 부품 번호:: FP75R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	75 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	385 W
	Number of Transistors	7

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 75 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 385 W
	Number of Transistors 7

Datasheet - FP75R12KT4B11BOSA1

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing

Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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