제조사부품번호

Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V

Name: Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5848
Price: 161577.00 KRW
Availability: InStock

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사양

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	385W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	122mm
	Width	62 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	FP75R12KT4B11B
	Height	17mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 385W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 122mm
	Width 62 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series FP75R12KT4B11B
	Height 17mm
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

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