제조사부품번호

Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5380
제조사 부품 번호:: FP100R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩181,946.40

일시적 품절

2026년 5월 25일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당
1 - 1	₩181,946.40
2 - 2	₩178,299.20
3 - 3	₩174,746.00
4 - 4	₩171,249.20
5 +	₩167,827.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 244-5380
제조사 부품 번호:: FP100R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	515W
	Number of Transistors	7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	62 mm
	Length	122mm
	Series	FP100R12KT4
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	17mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 515W
	Number of Transistors 7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 62 mm
	Length 122mm
	Series FP100R12KT4
	Standards/Approvals RoHS
	Height 17mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP100R12KT4BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.27 nF

Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V

관련된 링크들