제조사부품번호

Infineon IGBT Module, 150 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5407
제조사 부품 번호:: FS150R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

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RS 제품 번호:: 244-5407
제조사 부품 번호:: FS150R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	150A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation Pd	750W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	FS
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 150A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation Pd 750W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series FS
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FS150R12KT4B11BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.35 nF

Infineon IGBT Module, 150 A 1200 V

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