제조사부품번호

Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5407
제조사 부품 번호:: FS150R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

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20 - 20	₩169,965.16	₩1,699,651.60
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RS 제품 번호:: 244-5407
제조사 부품 번호:: FS150R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	150 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation	750 W

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 150 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation 750 W

Datasheet - FS150R12KT4B11BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.35 nF

Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

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