제조사부품번호

Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V EconoPIM

RS 제품 번호:: 244-5854
제조사 부품 번호:: FP75R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V EconoPIM

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RS 제품 번호:: 244-5854
제조사 부품 번호:: FP75R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	385W
	Number of Transistors	7
	Package Type	EconoPIM
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	62.5 mm
	Length	122mm
	Height	17mm
	Series	FP75R12KT4B
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 385W
	Number of Transistors 7
	Package Type EconoPIM
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 62.5 mm
	Length 122mm
	Height 17mm
	Series FP75R12KT4B
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - FP75R12KT4BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V EconoPIM

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