제조사부품번호

Infineon IGBT Module 1200 V EconoPIM

RS 제품 번호:: 244-5851
제조사 부품 번호:: FP75R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

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RS 제품 번호:: 244-5851
제조사 부품 번호:: FP75R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	385W
	Package Type	EconoPIM
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	17mm
	Length	122mm
	Width	62.5 mm
	Series	FP75R12KT4B
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 385W
	Package Type EconoPIM
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 17mm
	Length 122mm
	Width 62.5 mm
	Series FP75R12KT4B
	Automotive Standard No

Datasheet - FP75R12KT4BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon IGBT Module 1200 V EconoPIM

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