Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- RS 제품 번호:
- 258-3863
- 제조사 부품 번호:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ₩874.20 | ₩2,186,910.00 |
| 5000 - 5000 | ₩857.28 | ₩2,143,200.00 |
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- RS 제품 번호:
- 258-3863
- 제조사 부품 번호:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -0.31 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.31 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
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