Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -85 A, -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2
- RS 제품 번호:
- 258-3867
- 제조사 부품 번호:
- IPD85P04P407ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 258-3867
- 제조사 부품 번호:
- IPD85P04P407ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
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