Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V P, 3-Pin TO-252
- RS 제품 번호:
- 244-1595
- 제조사 부품 번호:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ₩716.28 | ₩1,792,110.00 |
| 5000 - 5000 | ₩703.12 | ₩1,755,920.00 |
| 7500 + | ₩680.56 | ₩1,703,280.00 |
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- RS 제품 번호:
- 244-1595
- 제조사 부품 번호:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | P | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode P | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET 800V CoolMOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.
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