Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -30 V Enhancement PG-TO-252 IPD50P03P4L11ATMA2
- RS 제품 번호:
- 258-3842
- 제조사 부품 번호:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 2 units)*
₩3,891.60
재고있음
- 2,428 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | ₩1,945.80 | ₩3,891.60 |
| 10 - 98 | ₩1,851.80 | ₩3,703.60 |
| 100 - 248 | ₩1,739.00 | ₩3,478.00 |
| 250 - 498 | ₩1,616.80 | ₩3,233.60 |
| 500 + | ₩1,485.20 | ₩2,970.40 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 258-3842
- 제조사 부품 번호:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -0.31 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series IPD | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.31 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
Simple interface drive circuit
World's lowest RDSon at 40V
Highest current capability
관련된 링크들
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -30 V Enhancement PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P404ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L03ATMA1
