Infineon IPDQ60R010S7A Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V N, 22-Pin HDSOP IPDQ60R010S7AXTMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩36,020.80

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 45 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 9₩36,020.80
10 - 99₩35,362.80
100 - 249₩34,723.60
250 - 499₩34,103.20
500 +₩33,482.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
225-0578
제조사 부품 번호:
IPDQ60R010S7AXTMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPDQ60R010S7A

Package Type

HDSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

318nC

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

15.1mm

Height

21.06mm

Width

2.35 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon IPDQ60R010S7A is a high voltage power MOSFET,designed as static switch according to the super junction (SJ) principle. The mosfet combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation enabling low RDS (on) in QDPAK package. The S7A series is optimised for low frequency switching and high current. application like circuit breakers.

Minimizes conduction losses

Increases energy efficiency

More compact and easier designs

Lower TCO cost or BOM cost

관련된 링크들