Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHW21N80AE-GE3

RS 제품 번호:: 188-5016
제조사 부품 번호:: SIHW21N80AE-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHW21N80AE-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 2 units)*

₩15,002.40

일시적 품절

2026년 5월 11일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
2 - 6	₩7,501.20	₩15,002.40
8 +	₩7,313.20	₩14,626.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	SiHW21N80AE
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	235mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	32W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	21.46mm
	Length	16.26mm
	Width	5.31 mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series SiHW21N80AE
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 235mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 32W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 21.46mm
	Length 16.26mm
	Width 5.31 mm
	Automotive Standard No

Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHW21N80AE-GE3

관련된 링크들