Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS 제품 번호:: 188-4876
제조사 부품 번호:: SIHG21N80AE-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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50 - 75	₩4,696.24	₩117,406.00
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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	SiHG21N80AE
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	235mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	32W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	20.82mm
	Width	5.31 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series SiHG21N80AE
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 235mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 32W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 20.82mm
	Width 5.31 mm
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Automotive Standard No

Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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