제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS 제품 번호:: 919-4299
제조사 부품 번호:: SISS27DN-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS 제품 번호:: 919-4299
제조사 부품 번호:: SISS27DN-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	92nC
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.3 mm
	Length	3.3mm
	Height	0.78mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 23A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 92nC
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.3 mm
	Length 3.3mm
	Height 0.78mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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