Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS27DN-T1-GE3

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 pack of 20 units)*

₩30,320.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 10월 05일 부터 120 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
한팩당*
20 - 740₩1,516.00₩30,320.00
760 - 1480₩1,478.00₩29,560.00
1500 +₩1,454.00₩29,080.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
814-1323
제조사 부품 번호:
SISS27DN-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

92nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


관련된 링크들