Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -30 V Enhancement PG-TO-252
- RS 제품 번호:
- 258-3841
- 제조사 부품 번호:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ₩688.08 | ₩1,719,260.00 |
| 5000 - 5000 | ₩673.04 | ₩1,684,950.00 |
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- RS 제품 번호:
- 258-3841
- 제조사 부품 번호:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | PG-TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -0.31 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series IPD | ||
Package Type PG-TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -0.31 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
Simple interface drive circuit
World's lowest RDSon at 40V
Highest current capability
관련된 링크들
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