Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2
- RS 제품 번호:
- 217-2519
- 제조사 부품 번호:
- IPD50P04P413ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 217-2519
- 제조사 부품 번호:
- IPD50P04P413ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon -40V, P-Ch, 12.6 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2.
P-channel - Normal Level - Enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
관련된 링크들
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
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- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252
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