제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS 제품 번호:: 228-2930
제조사 부품 번호:: SiSH892BDN-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS 제품 번호:: 228-2930
제조사 부품 번호:: SiSH892BDN-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	30.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	29W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 30.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 29W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiSH892BDN-T1-GE3

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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