Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -104 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISH521EDN-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 735-266
- 제조사 부품 번호:
- SISH521EDN-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
N
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 unit)*
₩1,302.84
일시적 품절
- 2027년 3월 04일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 1 - 24 | ₩1,302.84 |
| 25 - 99 | ₩861.04 |
| 100 + | ₩441.80 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 735-266
- 제조사 부품 번호:
- SISH521EDN-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -104A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.006Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 0.98mm | |
| Width | 3.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -104A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SH | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.006Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Length 3.4mm | ||
Height 0.98mm | ||
Width 3.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
관련된 링크들
- Vishay TrenchFET Type N, Type N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH892BDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 85 A, 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3
- Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH101DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SISH Type P-Channel MOSFET, 54 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH103DN-T1-GE3
- Vishay SISH Type P-Channel MOSFET, 34.4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH107DN-T1-GE3
