Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS 제품 번호:
165-7077
제조사 부품 번호:
SISA10DN-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Height

1.12mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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