Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7116BDN-T1-GE3

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포장 옵션
RS 제품 번호:
228-2825
제조사 부품 번호:
SI7116BDN-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

Very low Qg and Qoss reduce power loss and

improve efficiency

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces

switching related power loss

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