Infineon IPD N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K7C3AATMA1

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포장 옵션
RS 제품 번호:
217-2532
제조사 부품 번호:
IPD80R2K7C3AATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Width

6.22mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Automotive AEC Q101 qualified

Green package (RoHS compliant)

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