Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- RS 제품 번호:
- 214-4464
- 제조사 부품 번호:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 15 units)*
₩28,566.60
재고있음
- 1,185 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 15 - 195 | ₩1,904.44 | ₩28,564.72 |
| 210 - 390 | ₩1,857.44 | ₩27,846.56 |
| 405 + | ₩1,827.36 | ₩27,421.68 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 214-4464
- 제조사 부품 번호:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 82W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 82W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
관련된 링크들
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 86 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRL3705ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 94 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ34NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFZ44ZPBF
