제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ34NSTRLPBF

RS 제품 번호:: 262-6784
제조사 부품 번호:: IRFZ34NSTRLPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ34NSTRLPBF

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RS 제품 번호:: 262-6784
제조사 부품 번호:: IRFZ34NSTRLPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.075Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-41-681

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-41-681

Datasheet - IRFZ34NSTRLPBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has features such as 175°C operating temperature, fast switching speed.

Fully avalanche rated

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFZ34NSTRLPBF

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