Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB15N80AE-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩19,232.40

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 2,990 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
5 - 10₩3,846.48₩19,232.40
15 - 20₩3,752.48₩18,762.40
25 +₩3,696.08₩18,480.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
210-4970
제조사 부품 번호:
SIHB15N80AE-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

304mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

158W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Length

14.61mm

Height

4.06mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 13 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

관련된 링크들