Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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포장 옵션
RS 제품 번호:
178-3851P
제조사 부품 번호:
SQS966ENW-T1_GE3
제조업체:
Vishay Siliconix
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브랜드

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

27.8W

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Height

1.07mm

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

제외

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

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