Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩2,543,640.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
마지막 RS 재고
  • 최종적인 12,000 개 unit(s)이 배송 준비 됨
수량
한팩당
릴당*
3000 - 3000₩847.88₩2,544,204.00
6000 - 9000₩830.96₩2,493,444.00
12000 +₩814.04₩2,443,812.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
178-3701
제조사 부품 번호:
SiSS12DN-T1-GE3
제조업체:
Vishay Siliconix
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Length

3.15mm

Standards/Approvals

No

Width

3.15 mm

Automotive Standard

No

제외

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

관련된 링크들