제조사부품번호

ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007

RS 제품 번호:: 144-2259
제조사 부품 번호:: BSM180D12P3C007
제조업체:: ROHM

ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007

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RS 제품 번호:: 144-2259
제조사 부품 번호:: BSM180D12P3C007
제조업체:: ROHM

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	ROHM
	Channel Type	Type N
	Product Type	SiC Power Module
	Series	BSM
	Pin Count	4
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	122mm
	Height	17mm
	Width	45.6 mm
	Number of Elements per Chip	2

	모두 선택
	브랜드 ROHM
	Channel Type Type N
	Product Type SiC Power Module
	Series BSM
	Pin Count 4
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 122mm
	Height 17mm
	Width 45.6 mm
	Number of Elements per Chip 2

COO (Country of Origin):: JP

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007

SiC Power Modules, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Note

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