제조사부품번호

ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module, 240 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005

RS 제품 번호:: 144-2257
제조사 부품 번호:: BSM120D12P2C005
제조업체:: ROHM

ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module, 240 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005

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RS 제품 번호:: 144-2257
제조사 부품 번호:: BSM120D12P2C005
제조업체:: ROHM

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	ROHM
	Channel Type	Type N
	Product Type	SiC Power Module
	Maximum Continuous Drain Current Id	240A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	BSM
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Half Bridge
	Length	122mm
	Width	45.6 mm
	Height	17mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 ROHM
	Channel Type Type N
	Product Type SiC Power Module
	Maximum Continuous Drain Current Id 240A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series BSM
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Half Bridge
	Length 122mm
	Width 45.6 mm
	Height 17mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

ROHM Half Bridge BSM Type N-Channel SiC Power Module, 240 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM120D12P2C005

SiC Power Modules, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Note

관련된 링크들