Vishay SISS64DN N channel-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-BE3

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RS 제품 번호:
736-354
제조사 부품 번호:
SISS64DN-T1-BE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

SISS64DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

3.3mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay Power MOSFET delivers exceptional performance with its N-Channel configuration. Designed primarily for efficient switching applications, it optimises power management in various electronic circuits, ensuring reliable operation under demanding conditions.

Features TrenchFET Gen IV technology for enhanced efficiency

Optimised Qg, Qgd, and Qgs ratios reduce switching losses

Continuous drain current rating of up to 40A for robust performance

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