Vishay SiK N-Channel MOSFET, 417 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIJK5100E-T1-GE3

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 unit)*

₩16,520.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2027년 11월 17일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
1 - 9₩16,520.00
10 - 49₩10,240.00
50 - 99₩7,920.00
100 +₩7,680.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
735-161
제조사 부품 번호:
SIJK5100E-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

417A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiK

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0014Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

100V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

536W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

131nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4mm

Length

12mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

관련된 링크들