Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel MOSFET, 361 A, 80 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIJK4810-T1-GE3

N

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RS 제품 번호:
790-429
제조사 부품 번호:
SIJK4810-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

361A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0018Ω

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

446W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

10mm

Length

12mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N Channel MOSFET is designed for efficient power management in various applications, featuring an Advanced TrenchFET Gen IV technology that reduces conduction losses and improves overall performance.

Operates with a drain-source voltage of up to 80 V

Provides a low on-state resistance of 0.0018 Ω at 10 V gate-source voltage

Rated for continuous drain current of 361 A

Features Kelvin source connection to minimise gate noise

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