제조사부품번호

Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 277 A, 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3

RS 제품 번호:: 279-9937
제조사 부품 번호:: SIJH5100E-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 277 A, 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3

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RS 제품 번호:: 279-9937
제조사 부품 번호:: SIJH5100E-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	277A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SIJH
	Package Type	8x8L
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00189Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	128nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	7.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 277A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SIJH
	Package Type 8x8L
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00189Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 128nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 7.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIJH5100E-T1-GE3

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 277 A, 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3

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