Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SIA4620DJ-T1-GE3

N
모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 tape of 1 unit)*

₩692.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2027년 3월 01일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

Tape(s)
Per Tape
1 - 24₩692.00
25 - 99₩446.00
100 +₩268.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
904-973
제조사 부품 번호:
SIA4620DJ-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.023Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

17.9W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.05mm

Standards/Approvals

ROHS

Length

2.05mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management. It excels in various applications due to its high performance metrics and Compact packaging, making it Ideal for modern electronic designs.

Operates at a maximum drain-source voltage of 60 V

Features low on-state resistance for enhanced efficiency

Offers a continuous drain current up to 8.6 A at 25 °C

Includes extensive testing for reliability and performance

관련된 링크들