Infineon 3 Phase Bridge IGBT, 150 A 1200 V Module, Panel
- RS 제품 번호:
- 273-5337
- 제조사 부품 번호:
- FP150R12KT4BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 273-5337
- 제조사 부품 번호:
- FP150R12KT4BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 150A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Package Type | Module | |
| Configuration | 3 Phase Bridge | |
| Mount Type | Panel | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 122mm | |
| Height | 20.5mm | |
| Standards/Approvals | EN61140, IEC61140 | |
| Width | 62.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 150A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Package Type Module | ||
Configuration 3 Phase Bridge | ||
Mount Type Panel | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 122mm | ||
Height 20.5mm | ||
Standards/Approvals EN61140, IEC61140 | ||
Width 62.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module is available with fast TRENCHSTOP ™ IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC. It has VCEsat with positive temperature coefficient. This IGBT module suitable for servo drives, motor drives and auxiliary inverters application.
Low VCEsat
Standard housing
High power density
Copper base plate
Solder contact technology
Integrated NTC temperature sensor
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