제조사부품번호

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

RS 제품 번호:: 260-8887
제조사 부품 번호:: FF50R12RT4HOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

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RS 제품 번호:: 260-8887
제조사 부품 번호:: FF50R12RT4HOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	50 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Number of Transistors	2
	Maximum Power Dissipation	285 W
	Package Type	AG-34MM
	Configuration	Dual
	Mounting Type	Chassis Mount

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 50 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Number of Transistors 2
	Maximum Power Dissipation 285 W
	Package Type AG-34MM
	Configuration Dual
	Mounting Type Chassis Mount

Datasheet - FF50R12RT4HOSA1

The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.

Extended operation temperature
Low switching losses
Low VCEsat
Isolated base plate
Standard housing

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

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