제조사부품번호

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis

RS 제품 번호:: 260-8888
제조사 부품 번호:: FF50R12RT4HOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis

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RS 제품 번호:: 260-8888
제조사 부품 번호:: FF50R12RT4HOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	50A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	285W
	Number of Transistors	2
	Package Type	AG-34MM
	Configuration	Dual
	Mount Type	Chassis
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 50A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 285W
	Number of Transistors 2
	Package Type AG-34MM
	Configuration Dual
	Mount Type Chassis
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FF50R12RT4HOSA1

The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.

Extended operation temperature

Low switching losses

Low VCEsat

Isolated base plate

Standard housing

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis

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