Infineon FF600R12IP4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis

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RS 제품 번호:
260-8893
제조사 부품 번호:
FF600R12IP4BOSA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

600A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Package Type

AG-PRIME2

Configuration

Dual

Mount Type

Chassis

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.55V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and soft switching chip, also available with thermal interface material. High short circuit capability, self limiting short circuit current, VCEsat with positive temperature coefficient.

Extended operation temperature

High DC stability

High power density

Standardized housing

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