제조사부품번호

Infineon Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis

RS 제품 번호:: 260-8889
제조사 부품 번호:: FF600R12IE4BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

Subtotal (1 tray of 3 units)*

₩2,075,562.45

현재 액세스할 수 없는 재고 정보 - 나중에 다시 확인해 주세요.

수량	한팩당	Per Tray*
3 +	₩691,854.15	₩2,075,560.50

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 260-8889
제조사 부품 번호:: FF600R12IE4BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	600A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.35kW
	Number of Transistors	2
	Package Type	AG-PRIME2
	Configuration	Dual
	Mount Type	Chassis
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 600A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.35kW
	Number of Transistors 2
	Package Type AG-PRIME2
	Configuration Dual
	Mount Type Chassis
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FF600R12IE4BOSA1

The Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and fast switching chip. High short circuit capability, self limiting short circuit current, VCEsat with positive temperature coefficient.

Extended operation temperature

High DC stability

High power density

Standardized housing

Infineon Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis

관련된 링크들