제조사부품번호

Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5379
제조사 부품 번호:: FP100R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V

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RS 제품 번호:: 244-5379
제조사 부품 번호:: FP100R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	100 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Maximum Power Dissipation	515 W
	Number of Transistors	7

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 100 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Maximum Power Dissipation 515 W
	Number of Transistors 7

Datasheet - FP100R12KT4BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF

Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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