제조사부품번호

Infineon IGBT Module 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5379
제조사 부품 번호:: FP100R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

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RS 제품 번호:: 244-5379
제조사 부품 번호:: FP100R12KT4BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	515W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	122mm
	Width	62 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	FP100R12KT4
	Height	17mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 515W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 122mm
	Width 62 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series FP100R12KT4
	Height 17mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP100R12KT4BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.27 nF

Infineon IGBT Module 1200 V

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