Infineon FP50R12KT3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V Module, Panel
- RS 제품 번호:
- 273-7402
- 제조사 부품 번호:
- FP50R12KT3BOSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 273-7402
- 제조사 부품 번호:
- FP50R12KT3BOSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 280W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 122mm | |
| Width | 62 mm | |
| Standards/Approvals | EN61140, IEC61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 280W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 122mm | ||
Width 62 mm | ||
Standards/Approvals EN61140, IEC61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 50A continuous DC collector current. It has copper base plate for optimized heat spread and low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3 and NTC.
Thermal resistance
High reliability
High power density
Low switching losses
Compact module concept
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