제조사부품번호

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5834
제조사 부품 번호:: FP50R12KE3BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

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20 - 20	₩140,240.48	₩1,402,404.80
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RS 제품 번호:: 244-5834
제조사 부품 번호:: FP50R12KE3BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	75 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	280 W
	Number of Transistors	7

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 75 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 280 W
	Number of Transistors 7

Datasheet - FP50R12KE3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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