제조사부품번호

Infineon IGBT Module, 75 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5834
제조사 부품 번호:: FP50R12KE3BOSA1
제조업체:: Infineon

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tray of 10 units)*

₩1,640,106.00

일시적 품절

2026년 7월 30일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	Per Tray*
10 - 10	₩164,010.60	₩1,640,106.00
20 - 20	₩160,730.70	₩1,607,307.00
30 +	₩157,517.10	₩1,575,171.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 244-5834
제조사 부품 번호:: FP50R12KE3BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	75A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	280W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Series	FP50R12KE3
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 75A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 280W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Series FP50R12KE3
	Automotive Standard No

Datasheet - FP50R12KE3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.30 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon IGBT Module, 75 A 1200 V

대량 구매 가격 책정 옵션

관련된 링크들