제조사부품번호

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V EconoPACKTM3

RS 제품 번호:: 244-5404
제조사 부품 번호:: FS150R12KT3BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V EconoPACKTM3

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RS 제품 번호:: 244-5404
제조사 부품 번호:: FS150R12KT3BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	200A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation Pd	700W
	Package Type	EconoPACKTM3
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Standards/Approvals	No
	Series	FS150R12KT3
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 200A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation Pd 700W
	Package Type EconoPACKTM3
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Standards/Approvals No
	Series FS150R12KT3
	Automotive Standard No

Datasheet - FS150R12KT3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA

Temperature under switching conditions 125° C

Gate-emitter leakage current 400 nA

Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V EconoPACKTM3

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