제조사부품번호

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5404
제조사 부품 번호:: FS150R12KT3BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

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RS 제품 번호:: 244-5404
제조사 부품 번호:: FS150R12KT3BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	200 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation	700 W

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 200 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation 700 W

Datasheet - FS150R12KT3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

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