제조사부품번호

Infineon FS100R12KE3BOSA1 IGBT Module, 140 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5861
제조사 부품 번호:: FS100R12KE3BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FS100R12KE3BOSA1 IGBT Module, 140 A 1200 V

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RS 제품 번호:: 244-5861
제조사 부품 번호:: FS100R12KE3BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	140A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation Pd	480W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Series	FS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 140A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation Pd 480W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Series FS
	Automotive Standard No

Datasheet - FS100R12KE3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Maximum collector-emitter saturation voltage 2.15 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon FS100R12KE3BOSA1 IGBT Module, 140 A 1200 V

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