제조사부품번호

Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5408
제조사 부품 번호:: FS150R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

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RS 제품 번호:: 244-5408
제조사 부품 번호:: FS150R12KT4B11BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	150A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	750W
	Number of Transistors	6
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Series	FS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 150A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 750W
	Number of Transistors 6
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Series FS
	Automotive Standard No

Datasheet - FS150R12KT4B11BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.35 nF

Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

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