제조사부품번호

Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

Name: Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5387
Price: 60157.50 KRW
Availability: BackOrder

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사양

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	130W
	Number of Transistors	7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	FP15R12W1T4B
	Width	33.8 mm
	Length	62.8mm
	Height	12mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 130W
	Number of Transistors 7
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series FP15R12W1T4B
	Width 33.8 mm
	Length 62.8mm
	Height 12mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features

Low switching losses, low inductive design

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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