제조사부품번호

Infineon IGBT Module 1200 V

Name: Infineon IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5385
Price: 47325.24 KRW
Availability: BackOrder

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사양

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	130W
	Number of Transistors	7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	FP15R12W1T4B
	Height	12mm
	Length	62.8mm
	Width	33.8 mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 130W
	Number of Transistors 7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Series FP15R12W1T4B
	Height 12mm
	Length 62.8mm
	Width 33.8 mm
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features

Low switching losses, low inductive design

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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