제조사부품번호

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V

RS 제품 번호:: 244-5391
제조사 부품 번호:: FP25R12W2T4B11BOMA1
제조업체:: Infineon

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V

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RS 제품 번호:: 244-5391
제조사 부품 번호:: FP25R12W2T4B11BOMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	175W
	Number of Transistors	7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	42.5 mm
	Length	51mm
	Height	12mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	FP25R12W2T4B11B
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 175W
	Number of Transistors 7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 42.5 mm
	Length 51mm
	Height 12mm
	Standards/Approvals RoHS
	Series FP25R12W2T4B11B
	Automotive Standard No

Datasheet - FP25R12W2T4B11BOMA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 400 nA

Reverse transfer capacitance 0.05 nF

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V

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